清洗制程及应用
氧化扩散制程及应用
薄膜沉积制程及应用
封装制程及应用
研磨制程及应用
其他制程及应用
清洗制程及应用
晶圆清洗
工艺气体：HF、H₂SO₄、SC1（NH₄OH/H₂O₂）、SC2（HCl/H₂O₂）
设备应用
湿法清洗台：排出酸/碱蒸气，防止交叉污染
RCA清洗槽：抽排NH₄OH和HCl混合气体
湿法清洗台：排出酸/碱蒸气，防止交叉污染
RCA清洗槽：抽排NH₄OH和HCl混合气体
风机要求
材质：PP/PVDF（耐HF）、FRP（耐酸碱）
防爆：ATEX认证（H₂O₂易爆）
低振动：避免晶圆表面损伤
材质：PP/PVDF（耐HF）、FRP（耐酸碱）
防爆：ATEX认证（H₂O₂易爆）
低振动：避免晶圆表面损伤
刻蚀、物理沉积、离子注入等核心设备后的尾气清洗
工艺气体：Cl₂、BCl₃、CF₄、SF₆（干法刻蚀）；HF/HNO₃（湿法刻蚀）
设备应用
等离子刻蚀机（Plasma Etcher）：排出腐蚀性副产物（如AlCl₃、SiF₄）
湿法刻蚀槽：抽排HF/HNO₃混合酸雾
等离子刻蚀机（Plasma Etcher）：排出腐蚀性副产物（如AlCl₃、SiF₄）
湿法刻蚀槽：抽排HF/HNO₃混合酸雾
风机要求
耐卤素气体：PTFE涂层（防Cl₂腐蚀）
高温耐受：部分刻蚀腔体温度>100℃
无金属污染：避免铝/铜离子污染晶圆
耐卤素气体：PTFE涂层（防Cl₂腐蚀）
高温耐受：部分刻蚀腔体温度>100℃
无金属污染：避免铝/铜离子污染晶圆
薄膜沉积制程及应用
化学气相沉积
工艺气体：SiH₄、NH₃、WF₆、TEOS
设备应用
CVD设备：排出未反应的腐蚀性气体，并对腔体实现降温
CVD设备：排出未反应的腐蚀性气体，并对腔体实现降温
风机要求
防爆设计：SiH₄易燃易爆
耐颗粒物：防止沉积副产物（如SiO₂粉末）堆积
降温效力：确保腔体温度稳定
防爆设计：SiH₄易燃易爆
耐颗粒物：防止沉积副产物（如SiO₂粉末）堆积
降温效力：确保腔体温度稳定
封装制程及应用
固化炉
工艺气体
光刻胶固化气体、甲醛、VOCs（挥发性有机化合物），
高温分解产物：CO、NOₓ（氮氧化物）气体腐蚀性中低但含有机酸和氧化性物质
光刻胶固化气体、甲醛、VOCs（挥发性有机化合物），
高温分解产物：CO、NOₓ（氮氧化物）气体腐蚀性中低但含有机酸和氧化性物质
设备应用
排出光刻胶固化产生的PGMEA/DNB蒸气，维持炉内气流均匀性，避免温度分层。
排出光刻胶固化产生的PGMEA/DNB蒸气，维持炉内气流均匀性，避免温度分层。
风机要求
防爆设计：部分溶剂蒸气（如IPA）在高温下易燃，有爆炸风险
耐温性：防止沉积副产物（如SiO₂粉末）堆积
低漏率：确保工艺腔体真空度
防爆设计：部分溶剂蒸气（如IPA）在高温下易燃，有爆炸风险
耐温性：防止沉积副产物（如SiO₂粉末）堆积
低漏率：确保工艺腔体真空度
研磨制程及应用
CMP（化学机械抛光）
工艺气体：NH₄OH、H₂O₂、SiO₂浆料挥发物
设备应用
抛光后清洗机：排出研磨液挥发气体
Slurry回收系统：处理含氨废气
抛光后清洗机：排出研磨液挥发气体
Slurry回收系统：处理含氨废气
风机要求
耐氧化剂：H₂O₂强氧化性
耐氧化剂：H₂O₂强氧化性
其他制程及应用
废气处理系统
处理气体：酸性废气（HF、HCl）、VOCs（光刻胶溶剂）
设备应用
湿式小洗涤塔：需耐酸风机输送废气
燃烧式处理：高温腐蚀性气体排放
湿式小洗涤塔：需耐酸风机输送废气
燃烧式处理：高温腐蚀性气体排放
风机要求
全防腐结构：PP/PTFE材质
全防腐结构：PP/PTFE材质
